IT之家 2 月 13 日音讯，韩媒 SEDaily 昨日报说念称，中国西安 NAND 闪存工场在将制程从第六代 V-NAND（IT之家注：136 层）妥洽至第八代（238 层）的基础上，还说合在年内修复第九代（286 层）产线。

报说念声称，三星西安 NAND 厂坐褥V9 NAND 所需的新开垦将于本年上半年导入，指标是到年底建成晶圆浑沌量达每月 2000~5000 片的产线。

三星电子在旧年先后文书其基于第九代 V-NAND 技艺的 TLC 和 QLC 颗粒量产，当今关联居品正在其韩国平泽 P4 工场制造。而三星下代堆叠达 4XX 层的 V10 NAND 展望将于 2 月 19 日在ISSCC 2025 上对外公布。

韩媒以为，三星正通过制程升级妥洽来提高高性能、高容量、高盈利才智的“三高”先进节点 NAND 在其全体产能中的占比，交代当今情况欠安的闪存市况；同期工艺变动带来的当然减产也能加快供需均衡的到来。